一、STFU9N65M2 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Tc）
驱动电压 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On 900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 10nC @ 10V
Vgs ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 315pF @ 100V
功率耗散 20W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
二、IRLB3036PBF ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg） 140nC @ 4.5V
Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 11210pF @ 50V
功率耗散 380W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
